SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

۲۶,۸۰۰ تومان

موجود در انبار
شناسه محصول: SIHG20N50C-E

براي سفارش تعداد بالاي محصول و استعلام قيمت با شماره هاي فروشگاه تماس بگيريد يا در تلگرام  و واتساپ با ما در تماس باشيد.

موجود در انبار

توضیحات

SIHG20N50C-E3

POWER MOSFET 500V 

دیتاشیت در این لینک 

مشخصات فنی محصول

مشخصات:

فناوری: سی
قطب ترانزیستور: N-Channel
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 500 V
Id – جریان تخلیه مداوم: 20 A
Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 270 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: 10 V
ولتاژ آستانه Vgs th – Gate-Source: 3 V
Qg – شارژ گیت: 65 نانومتر
حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد
Pd – افت انرژی: 250 مگاوات
حالت کانال: بهبود
پیکربندی: تک
ارتفاع: 20.82 میلی متر
طول: 15.87 میلی متر
نوع ترانزیستور: 1 N-Channel
عرض: 5.31 میلی متر
Transconductance Forward – حداقل: 6.4 S
زمان پاییز: 44 نانومتر
نوع محصول: MOSFET
زمان ظهور: 27 شب
زمان تاخیر خاموش معمولی: 32 نانومتر
زمان تأخیر روشنایی معمولی: 80 نانومتر

SIHG20N50C-E3 - تجارت الکترونیک
SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

۲۶,۸۰۰ تومان

موجود در انبار
شناسه محصول: SIHG20N50C-E

براي سفارش تعداد بالاي محصول و استعلام قيمت با شماره هاي فروشگاه تماس بگيريد يا در تلگرام  و واتساپ با ما در تماس باشيد.

موجود در انبار

توضیحات

SIHG20N50C-E3

POWER MOSFET 500V 

دیتاشیت در این لینک 

مشخصات فنی محصول

مشخصات:

فناوری: سی
قطب ترانزیستور: N-Channel
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds – ولتاژ خرابی منبع تخلیه: 500 V
Id – جریان تخلیه مداوم: 20 A
Rds On – مقاومت در برابر منبع زهکشی: 270 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage: 10 V
ولتاژ آستانه Vgs th – Gate-Source: 3 V
Qg – شارژ گیت: 65 نانومتر
حداقل دمای کارکرد: – 55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کارکرد: + 150 درجه سانتیگراد
Pd – افت انرژی: 250 مگاوات
حالت کانال: بهبود
پیکربندی: تک
ارتفاع: 20.82 میلی متر
طول: 15.87 میلی متر
نوع ترانزیستور: 1 N-Channel
عرض: 5.31 میلی متر
Transconductance Forward – حداقل: 6.4 S
زمان پاییز: 44 نانومتر
نوع محصول: MOSFET
زمان ظهور: 27 شب
زمان تاخیر خاموش معمولی: 32 نانومتر
زمان تأخیر روشنایی معمولی: 80 نانومتر