IR2184P

درایور گیت بر اساس همان اصل ترانزیستور ماسفت کار می کند. این یک جریان خروجی را فراهم می کند که توسط یک الکترود کنترل، برای نیمه هادی شارژ می کند همچنین رانندگی با آن ساده است و برای مصارف برق دارای ماهیت مقاومتی است.

ماسفت ها ترانزیستورهایی با اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی (MOSFET، MOS-FET، یا MOS FET)، همچنین به عنوان ترانزیستور اکسید فلز-سیلیکون (MOS ترانزیستور یا MOS) شناخته می شود. یک نوع دروازه عایق است. ولتاژ ترمینال گیت هدایت الکتریکی دستگاه را تعیین می کند. 

در مقایسه با سایر دستگاه های نیمه هادی قدرت، مانند ترانزیستور دوقطبی گیت عایق (IGBT) یا تریستور، مزایای اصلی آن سرعت سوئیچینگ بالا و راندمان خوب در ولتاژهای پایین است. با IGBT یک دروازه ایزوله به اشتراک می گذارد که رانندگی را آسان می کند. آنها می توانند در معرض بهره کم قرار گیرند، گاهی اوقات تا حدی که ولتاژ گیت باید بیشتر از ولتاژ تحت کنترل باشد.

طراحی ماسفت های قدرتی با تکامل فناوری ماسفت و CMOS امکان پذیر شد که از دهه 1960 برای تولید مدارهای مجتمع استفاده می شد. ماسفت قدرتی اصل عملکرد خود را با همتای کم مصرف خود، ماسفت جانبی، به اشتراک می گذارد.