ترانزیستور HGTG11N120CND – IGBT اصل

HGTG11N120CND

ترانزیستور HGTG11N120CND MOSFET (ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز) یک دستگاه نیمه هادی است که به طور گسترده برای اهداف سوئیچینگ و برای تقویت سیگنال های الکترونیکی در دستگاه های الکترونیکی استفاده می شود.

 معرفی دستگاه ماسفت تحولی در حوزه سوئیچینگ در الکترونیک ایجاد کرده است.

ظرفیت MOS که در دستگاه وجود دارد، بخش مهمی است که کل عملیات در آن انجام می شود.

ماسفت چیست؟ ماسفت یک دستگاه چهار پایانه است که دارای پایانه های منبع (S)، دروازه (G)، تخلیه (D) و بدنه (B) است. به طور کلی، بدنه ماسفت با ترمینال منبع در ارتباط است، بنابراین یک دستگاه سه پایانه مانند ترانزیستور اثر میدانی را تشکیل می دهد. این مقدمه اولیه ماسفت است. و ساختار کلی این دستگاه به شرح زیر است:

ماسفت می تواند به دو صورت عمل کند 1)حالت تخلیه 2)حالت بهبود

حالت تخلیه هنگامی که هیچ ولتاژی در ترمینال گیت وجود ندارد، کانال حداکثر رسانایی خود را نشان می دهد. در حالی که وقتی ولتاژ در ترمینال گیت مثبت یا منفی باشد، هدایت کانال کاهش می یابد.

حالت بهبود هنگامی که ولتاژی در ترمینال گیت وجود ندارد، دستگاه هدایت نمی شود. هنگامی که حداکثر ولتاژ در ترمینال گیت وجود دارد، دستگاه رسانایی افزایش یافته را نشان می دهد.

دیتا شیت این ترانزیستور در این لینک

جهت مشاهده دسته بندی ترانزیستور ها اینجا کلیک کنید 

برای مشاهده صفحه ما در اینستاگرام اینجا کلیک کنید